중국 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 4F² 아키텍처를 활용한 차세대 서버용 메모리 DDR5 RDIMM을 연말까지 출시하겠다는 계획을 공개했다. 차오칸위 CXMT 총재는 행사에서 이 제품의 개발 방향을 소개했다고 12일(현지시간) 중국 매체 제일재경과 과창판일보가 보도했다.
차오 총재는 자체 개발한 VSG 트랜지스터가 채널을 수직으로 감싸 누설 전류 문제를 개선하고 메모리 집적도를 높인다고 설명했다. CXMT는 4F² 아키텍처 관련 특허도 다수 보유하고 있다고 밝혔다. 제일재경 등에 따르면 4F²는 메모리 단위 크기가 F 제곱의 4배라는 뜻이며, 현재 D램 업계의 주류인 6F²보다 단위 면적에 더 많은 트랜지스터를 배치할 수 있다.
서버용 메모리는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 우위를 점해왔으며 CXMT는 가전제품용 메모리에 집중해왔다. 상하이교통대학 컴퓨터법학·인공지능(AI)윤리 연구센터의 톈펑 연석주임은 글로벌타임스에 “세계 3대 메모리 제조사들이 자체적으로 4F²이나 그와 유사한 3차원(3D) D램 로드맵을 추진 중이지만 아직 대규모 상업화에 이르지 못했다”고 말했다. 그는 CXMT가 관련 제품을 먼저 내놓으면 차세대 메모리 경쟁에서 앞서고 중국의 첨단 반도체 공급망 내 입지를 강화할 가능성이 있다고 내다봤다.
삼성전자와 SK하이닉스도 메모리 집적도 향상을 위해 관련 기술을 추진하고 있다. 사우스차이나모닝포스트는 SK하이닉스가 지난해 4F² 관련 로드맵을 공개했다고 전했다. 트렌드포스 뉴스는 디일렉을 인용해 삼성전자가 지난 3월 10나노미터(nm) 이하 ‘10a’ D램 공정 웨이퍼에 4F² 구조 등을 처음 적용했다고 보도했으며, 삼성전자는 연내 개발을 마치고 내년 품질 테스트를 거쳐 2028년 양산하는 것을 목표로 하는 것으로 전해졌다.
CXMT는 지난 7월 기업공개(IPO)로 최대 666억1천만 위안(약 13조2천억원)을 조달했고, 상장 첫날 주가가 급등해 중국 본토 증시 시가총액 1위에 올랐다. 8월에는 차세대 모바일 D램 LPDDR6 양산을 공식화했으며, 9월에는 5세대 D램 공정의 양산에 들어갔다고 밝혔다.
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