RF 질화갈륨(GaN) 반도체 기업 웨이비스가 장거리 지대공유도무기체계(L-SAM) 다기능레이더에 탑재되는 핵심 부품 국산화에 나선다. 웨이비스는 지난 8월 국방기술진흥연구소와 착수회의를 열고, 현재 해외 의존도가 높은 S대역 고출력 RF GaN HEMT 칩의 개발 범위와 검증 계획을 확정했다.
이번 사업은 방산 분야의 고질적인 문제인 부품 조달 불확실성을 해소하고, 무기체계 운용의 안정성을 높이는 데 초점이 맞춰져 있다. 웨이비스는 칩 설계부터 제조, 패키징, 고출력증폭보드 제작까지 전 과정을 국내에서 수행하며 기술 자립도를 높일 예정이다. 업계에서는 이번 개발이 성공할 경우 향후 국내 방산 수출 경쟁력 강화에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 내다보고 있다.
웨이비스 관계자는 “이번 사업은 국산 RF GaN 반도체의 적용 영역을 지상 방공체계로 확대하는 중요한 계기”라며 “칩부터 패키지, 증폭보드까지 연계할 수 있는 기술력을 바탕으로 L-SAM 핵심부품의 공급 안정성을 강화하겠다”고 밝혔다. 향후 웨이비스는 국산화 인증과 규격화 절차를 거쳐 해당 부품을 다양한 유도무기체계로 확장 적용할 계획이다.
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