SK하이닉스가 인공지능(AI) 메모리 수요를 바탕으로 고대역폭 메모리(HBM) 사업에서 과거 메모리 호황기의 정점을 웃도는 수익성을 이어갈 수 있다고 밝혔다. 고객사들이 요청하는 HBM 물량은 회사의 공급 가능량을 두 배 이상 웃돌고 있으며, 장기공급계약(LTA) 물량과 협의 중인 수요를 합하면 2029년까지 향후 3년간 D램과 HBM 물량이 사실상 모두 판매된 상태라는 설명이다. 회사는 28일 3분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 수요와 공급 상황, 차세대 HBM 제품 비중, D램 공정 기술 개발 방향을 설명했다.
곽노정 SK하이닉스 사장은 고객 신뢰가 장기 계약으로 이어져 중장기 수요의 가시성이 높아지고 있다고 말했다. 회사는 일부 고객사가 HBM 적층 단수를 낮추려는 움직임을 두고도 공급 부족 상황에서 제한된 물량으로 더 많은 AI 가속기와 시스템을 구축하려는 대응이라고 설명했다. 4분기에는 HBM4 출하량과 매출 비중이 기존 주력인 HBM3E를 넘어설 것으로 전망했다.
2029년까지 이어지는 D램·HBM 공급 계약
SK하이닉스는 콘퍼런스콜에서 HBM 사업의 수익성 전망과 장기 수요를 함께 제시했다. 회사는 “앞으로도 과거 사이클의 피크를 훨씬 상회하는 높은 수익성이 지속 가능할 것으로 기대하고 있다”고 밝혔다. 이어 “이미 확보한 장기공급계약(LTA) 물량과 현재 고객사들과 협의 중인 수요를 종합하면 2029년까지 향후 3년 동안 D램과 HBM 물량은 사실상 모두 솔드아웃(판매완료)된 상황”이라고 설명했다. 장기 계약으로 이미 확보한 물량뿐 아니라 현재 고객사와 논의 중인 수요까지 합산한 전망이다.
곽 사장은 장기 계약이 고객과 쌓아온 기술 신뢰를 바탕으로 이뤄지고 있다고 밝혔다. 그는 “그동안 기술 경쟁력으로 쌓아온 고객의 신뢰가 장기 계약으로 이어지면서 중장기 수요에 대한 가시성이 높아지고 안정적인 수익성을 확보할 수 있는 여건도 마련되고 있다”고 말했다. 회사는 고객의 요청 물량이 공급 가능량을 웃도는 상황도 거듭 언급했다. “현재 고객의 요청 물량은 당사가 공급 가능한 물량의 두 배를 상회할 정도로 강한 수요가 지속되고 있다”며 “이는 당사 제품에 대한 고객의 높은 선호가 이어지고 있다는 근거”라고 밝혔다.
적층 단수 조정에도 공급 영향 제한적이라는 설명
회사는 일부 고객사가 HBM 적층 단수를 조정하려는 움직임을 공급 부족의 사례로 들었다. HBM 공급이 부족해 고객이 한정된 물량으로 더 많은 AI 가속기와 시스템을 구축해야 하고, 이 때문에 적층 단수를 낮춰 확보할 수 있는 제품 수를 늘리려 한다는 설명이다. SK하이닉스는 “HBM 공급이 부족한 상황에서 고객은 제한된 물량으로 더 많은 AI 가속기와 시스템을 구축해야 한다”며 “이에 적층 단수를 낮춰 확보할 수 있는 HBM 제품 수를 늘리려는 전략으로 보고 있다”고 밝혔다.
업계에서는 엔비디아가 차세대 AI 가속기 ‘루빈 울트라’에 넣을 HBM의 적층 단수를 당초 계획한 12단에서 8단으로 낮추고, 그래픽처리장치(GPU)당 메모리 용량도 줄이는 방안을 검토 중인 것으로 알려졌다. 이에 대해 SK하이닉스는 HBM4 12단에서 HBM4E 8단으로 바뀌더라도 다이당 용량이 늘어 적층 단수 감소의 영향을 상당 부분 보완할 수 있다고 설명했다. 적층 단수가 줄어들더라도 전체 공급량이나 수익성에 미치는 영향은 제한적이라는 입장이다.
| 구분 | 수치 |
|---|---|
| 고객사 요청 물량 대 공급 가능량 | 2배 초과 |
| HBM4 적층 구성 | 12단 |
| HBM4E 적층 구성 | 8단 |
HBM4 매출·이익, 올해보다 큰 폭 성장 전망
SK하이닉스는 내년 HBM 사업의 매출과 이익이 올해보다 큰 폭으로 성장할 것으로 내다봤다. 회사가 제시한 요인은 HBM4 판매 비중 확대와 가격 상승, 양산 수율 개선, 원가 경쟁력 향상이다. 고객의 요청 물량이 공급 가능량의 두 배를 넘는 수요 상황도 함께 언급했다.
제품 세대별로는 올해 4분기 HBM4 출하 물량과 매출 비중이 모두 기존 주력 제품인 HBM3E를 넘어설 것으로 예상했다. HBM4 수율은 당초 계획치를 웃돌았으며, 이에 따라 목표치를 상향 조정했다고 설명했다. SK하이닉스는 HBM4의 출하와 매출 비중이 기존 주력 제품을 앞서는 시점을 4분기로 제시하면서, 내년에는 HBM4의 판매 비중 증가와 가격 상승이 실적 확대에 기여할 것으로 전망했다.
고객의 요청 물량이 공급 가능량을 크게 웃도는 상황에서 HBM4 생산 수율이 계획보다 높아 목표를 조정했고, 제품 구성에서는 HBM4가 HBM3E를 넘어서는 변화가 예상된다는 설명이다. HBM4와 HBM4E의 적층 구성 조정 가능성에 대해서는 다이당 용량 증가가 단수 감소분을 보완할 수 있다고 밝혔다. 회사는 수요 대응과 제품 전환에 관한 설명을 함께 내놨다.
6F² 플랫폼 활용하며 4F²·3D D램 개발 병행
SK하이닉스는 중국 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 개발을 추진 중인 차세대 D램 기술 ‘4F²’에 대해서는 신중한 입장을 밝혔다. 4F²는 기존 6F²보다 메모리 셀 면적을 줄여 집적도를 높이는 기술이다. 다만 실제 상용화를 위해서는 수율과 신뢰성, 원가 경쟁력 등을 갖춰야 한다는 것이 업계의 대체적인 시각이라고 원문은 전했다.
회사는 극자외선(EUV) 기반 미세화와 공정 혁신을 통해 기존 6F² 구조를 더 확장할 기술적 여력을 확보하고 있다고 밝혔다. 현재는 양산 안정성과 원가 경쟁력이 검증된 6F² 플랫폼을 최대한 활용하는 한편, 4F²와 3D D램으로 전환하기 위한 기술 개발도 병행한다는 방침이다. SK하이닉스는 “극자외선(EUV) 기반 미세화와 공정 혁신을 통해 기존 6F² 구조를 추가로 확장할 수 있는 기술적 여력을 확보하고 있다”고 설명했다.
SK하이닉스는 현시점에서 검증된 플랫폼을 활용해 제품 경쟁력을 높이는 것이 효율적인 전략이라고 밝혔다. 회사는 “현시점에서는 양산 안정성과 원가 경쟁력이 검증된 플랫폼을 최대한 활용하여 제품 경쟁력을 높이는 것이 가장 효율적인 전략”이라며 “기술 구현과 실제 상용화 시점은 구분해서 볼 필요가 있다”고 말했다. 이어 차세대 기술의 완성도와 경제성을 확보하는 시점에 맞춰 적합한 제품에 적용해 나갈 계획이라고 덧붙였다.
SK하이닉스는 내년 HBM4 판매 비중 확대와 수율·원가 경쟁력 개선을 통해 HBM 사업의 매출과 이익이 올해보다 성장할 것으로 전망했다. D램과 HBM은 장기공급계약 물량과 협의 중인 수요를 합쳐 2029년까지 사실상 판매가 완료된 상황이라고 밝혔다. D램 공정에서는 6F² 플랫폼 활용과 함께 4F²·3D D램 개발을 이어가고, 차세대 기술은 완성도와 경제성을 확보한 뒤 적합한 제품에 적용할 계획이다.
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