삼성전자가 2026년 10월 16일 중국 선전에서 열린 제5회 GMIF 혁신 서밋에서 400단 이상 V-NAND와 온디바이스 AI용 zNAND-O 등 메모리 기술을 소개했다. 선전 메모리 산업 협회와 베이징대학교 집적회로학원이 공동 주최한 이번 행사에는 전문 참석자 3000명 이상이 등록했다.
삼성메모리 차이나의 케빈 윤 CVP 겸 CTO는 기조연설에서 생성형 AI에서 에이전틱 AI로 발전하면서 여러 에이전트가 작업을 수행하고 토큰 생성량이 늘어날 수 있다고 설명했다. 이에 따라 KV 캐시 용량과 재사용 수요가 증가하고, 캐시가 GPU 메모리 용량을 넘어서면 별도의 공유 스토리지 계층이 필요하다는 내용이다.
윤 CTO는 서버용 SSD로 PCIe Gen6 기반 PM1763과 V9 QLC 기반 BM1773을 소개했다. 성능 중심 제품인 PM1763은 V-NAND TLC와 냉각 시스템을 적용했으며, 샘플은 2026년 4분기 출하 예정이다. 용량 중심 제품인 BM1773은 16TB부터 256TB까지 구성된다.
삼성전자는 V10 BV-NAND가 V9보다 비트 밀도는 58% 높고 I/O 속도는 33% 빠르며 소비 전력은 25% 낮다고 밝혔다. 메모리 셀과 주변 회로를 별도 제조한 뒤 수직으로 접합하는 본딩 기술을 적용했다고 설명했다. 고단 적층 기술의 진전과 함께 실제 제품의 성능·전력 특성이 제시된 점은 AI 메모리 경쟁이 용량뿐 아니라 데이터 이동과 효율을 함께 겨냥하고 있음을 보여준다.
온디바이스 AI용 차세대 낸드 아키텍처인 zNAND-O는 4단 및 8단 버전으로 개발 중이다. MPU와 함께 패키징하고 UCIe 인터페이스로 연결하는 방식으로, 삼성전자는 DRAM 대비 비트 밀도가 10배, 낸드 플래시 대비 읽기 대역폭과 읽기 에너지 효율이 7배라고 밝혔다. 2030년까지 AI 모델이 1조 개 이상의 파라미터를 갖출 수 있다는 전망을 제시하며, 문샷 AI의 키미 K2-1T 모델 시뮬레이션에서는 NPU 최적화 아키텍처가 동일 성능에서 메모리 비용을 4분의 1로 낮추고 거의 2배 큰 모델을 수용했다고 설명했다.
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